問答題漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)有什么不同？
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4.單項(xiàng)選擇題在光電轉(zhuǎn)換過程中，Si比GaAs量子效率低，因?yàn)槠洌ǎ?/a>
A.禁帶較窄
B.禁帶較寬
C.禁帶是間接躍遷型
D.禁帶是直接躍遷型
5.單項(xiàng)選擇題在太空的空間實(shí)驗(yàn)室里生長(zhǎng)的GaAS具有很高的載流子遷移率，是因?yàn)檫@樣的材料（）。
A.無雜質(zhì)污染
B.受宇宙射線輻射
C.化學(xué)配比合理
D.晶體完整性好
最新試題
半導(dǎo)體襯底材料與柵極材料之間的逸出功差變化范圍較小。
題型：判斷題
MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。
題型：判斷題
n溝耗盡型MOS型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。
題型：判斷題
MOS管可以分為4類型，其中p溝增強(qiáng)型MOS的載流子主要是電子。
題型：判斷題
p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。
題型：判斷題
柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會(huì)因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。
題型：判斷題
MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。
題型：判斷題
絕緣層材料的厚度會(huì)對(duì)MOS管的閾值電壓產(chǎn)生影響。
題型：判斷題
MOS管閾值電壓的單位是eV。
題型：判斷題