A.電暈起始電壓較低,而擊穿電壓較高 B.擊穿電壓較低,而電暈起始電壓較高 C.電暈起始電壓和擊穿電壓均較低 D.電暈起始電壓和擊穿電壓均較高
A.tgδ=(tgδ1+tgδ2)/2 B.tgδ=(C1tgδ1+C2tgδ2)/(C1-C2) C.tgδ=(C1tgδ1+C2tgδ2)/(C1+C2) D.tgδ=(C2tgδ1+C1tgδ2)/(C1+C2)
A.由于絕緣體內(nèi)部或表面存在氣隙(泡)而導(dǎo)致氣隙(泡)內(nèi)的放電 B.絕緣體中若有導(dǎo)電雜質(zhì)存在,則在此雜質(zhì)邊緣由于電場(chǎng)集中,也會(huì)出現(xiàn)局部放電 C.在高電壓端頭上,如電纜的端頭等部位,由于電場(chǎng)集中,而且沿面放電的場(chǎng)強(qiáng)比較低,往往就沿著介質(zhì)與空氣的交界面上產(chǎn)生表面局部放電 D.絕緣結(jié)構(gòu)形式