A.光纖微彎效應(yīng)
B.被測信號(hào)改變光纖對(duì)光波的吸收特性
C.被測信號(hào)改變光纖的折射率
D.兩相位光纖間通過有倏逝波的耦合
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A.直流
B.交流
C.雷電過電壓操作
D.沖擊波
A.試品電容
B.電容分壓器電容
C.調(diào)諧電感
D.整個(gè)高壓試驗(yàn)回路中損耗的等值電阻
A.放電重負(fù)率
B.放電的能量
C.放電平均電流
D.局部放電起始電壓
A.表面溫度判斷法
B.同類比較判斷法
C.檔案分析判斷法
D.實(shí)時(shí)分析判斷法
A.可采用干燥的毛巾或加入酒精、丙酮等對(duì)被試品表面擦拭
B.在被試品表面涂上一圈硅油
C.采用屏蔽線使表面泄漏電流通過屏蔽線不流入測量儀表
D.用電吹風(fēng)干燥試品表面
最新試題
當(dāng)電力設(shè)備的額定電壓與實(shí)際使用的額定電壓不同時(shí),當(dāng)采用額定電壓較高的設(shè)備以加強(qiáng)絕緣時(shí),應(yīng)按照設(shè)備的額定電壓確定其試驗(yàn)電壓。
操作波的極性對(duì)變壓器外絕緣來講,正極性比負(fù)極性閃絡(luò)電壓低得多。
在現(xiàn)場采用介損儀測量設(shè)備的介損tgδ時(shí),若存在電場干擾,則在任意測試電源極性的情況下,所測得tgδ值一定比真實(shí)的tgδ增大。
直流高壓試驗(yàn)采用高壓硅堆作整流元件時(shí),高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過硅堆的額定反峰電壓,其額定整流電流應(yīng)大于工作電流,并有一定的裕度。
線路用帶串聯(lián)間隙金屬氧化物避雷器,每年根據(jù)運(yùn)行年限和放電動(dòng)作次數(shù)等因素確定抽樣比例,將運(yùn)行時(shí)間比較長或動(dòng)作次數(shù)比較多的避雷器拆下進(jìn)行預(yù)防性試驗(yàn)。
描迷電場的電力線總是起始于正電荷,終止于負(fù)電荷,電力線既不閉合、不間斷、不相交。
描述磁場的磁力線,是一組既不中斷又互不相交,卻各自閉合,既無起點(diǎn)又無終點(diǎn)的回線。
電容器制造的主要材料為電容器紙、電容器油和金屬或瓷外殼。
絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷,則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。
將并聯(lián)有晶閘管閥及其電抗器的電容器串接于輸電線路中,并配有旁路斷路器、隔離開關(guān)、串補(bǔ)平臺(tái)、支撐絕緣子、控制保護(hù)系統(tǒng)等附屬設(shè)備組成的裝置,簡稱可控串補(bǔ)。