雙斷口的SF6系列斷路器有兩個(gè)斷口，為了使各個(gè)斷口在分、合閘時(shí)承受接近均等的電壓，一般用電容進(jìn)行均壓。

在現(xiàn)場(chǎng)采用介損儀測(cè)量設(shè)備的介損tgδ時(shí)，若存在電場(chǎng)干擾，則在任意測(cè)試電源極性的情況下，所測(cè)得tgδ值一定比真實(shí)的tgδ增大。

描述磁場(chǎng)的磁力線，是一組既不中斷又互不相交，卻各自閉合，既無(wú)起點(diǎn)又無(wú)終點(diǎn)的回線。

將兩臺(tái)試驗(yàn)變壓器串級(jí)進(jìn)行交流耐壓試驗(yàn)時(shí)，若第一級(jí)試驗(yàn)變壓器串級(jí)繞組極性接反，會(huì)造成最終輸出試驗(yàn)電壓為零。

交流耐壓試驗(yàn)電壓波形應(yīng)是正弦或接近正弦，兩個(gè)半波應(yīng)完全一樣，且波頂因數(shù)即峰值與有效值之比應(yīng)等于√2±0.07。

在現(xiàn)場(chǎng)相同條件下（好天氣），用介損儀測(cè)量小電容試品的tgδ和Cx時(shí)，用正接線方法和反接線方法測(cè)量結(jié)果是完全相同的。

絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷，則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。

直流高壓試驗(yàn)采用高壓硅堆作整流元件時(shí)，高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過硅堆的額定反峰電壓，其額定整流電流應(yīng)大于工作電流，并有一定的裕度。

試驗(yàn)變壓器波形畸變的根本原因是調(diào)壓器和試驗(yàn)變壓器的漏抗以及電容負(fù)載所造成。

將并聯(lián)有晶閘管閥及其電抗器的電容器串接于輸電線路中，并配有旁路斷路器、隔離開關(guān)、串補(bǔ)平臺(tái)、支撐絕緣子、控制保護(hù)系統(tǒng)等附屬設(shè)備組成的裝置，簡(jiǎn)稱可控串補(bǔ)。