主變高壓套管帶電檢測，其檢測阻抗能否直接串入電容接地線測量。

絕緣良好的tgδ不隨電壓的升高而明顯增加。若絕緣內(nèi)部有缺陷，則其tgδ將隨電壓的升高而明顯增加。

當電力設(shè)備的額定電壓與實際使用的額定電壓不同時，當采用額定電壓較高的設(shè)備以加強絕緣時，應(yīng)按照設(shè)備的額定電壓確定其試驗電壓。

交流耐壓試驗電壓波形應(yīng)是正弦或接近正弦，兩個半波應(yīng)完全一樣，且波頂因數(shù)即峰值與有效值之比應(yīng)等于√2±0.07。

交流耐壓試驗時，應(yīng)測量試驗電壓的峰值Um，并使Um/√2＝標準規(guī)定的試驗電壓U（有效值）。

在現(xiàn)場相同條件下（好天氣），用介損儀測量小電容試品的tgδ和Cx時，用正接線方法和反接線方法測量結(jié)果是完全相同的。

在規(guī)定時間內(nèi)承載被保護部分的負載電流或(和)故障電流，以防止電容器過電壓或金屬氧化物限壓器過負荷的受控觸發(fā)間隙。

直流高壓試驗采用高壓硅堆作整流元件時，高壓硅堆上的反峰電壓使用值不能超過硅堆的額定反峰電壓，其額定整流電流應(yīng)大于工作電流，并有一定的裕度。

線路用帶串聯(lián)間隙金屬氧化物避雷器，每年根據(jù)運行年限和放電動作次數(shù)等因素確定抽樣比例，將運行時間比較長或動作次數(shù)比較多的避雷器拆下進行預(yù)防性試驗。

GIS耐壓試驗之前，進行老化（凈化）試驗的目的是：使設(shè)備中可能存在的活動微粒雜質(zhì)遷移到低電場區(qū)，并通過放電燒掉細小微粒或電極上的毛刺、附著的塵埃，以恢復(fù)GIS絕緣強度，避免不必要的破壞或返工。