單項(xiàng)選擇題

高速緩沖存儲(chǔ)器通常由雙極型靜態(tài)RAM（sRAM）構(gòu)成，SRAM的主要優(yōu)點(diǎn)是（），主要用來(lái)（）。

A.存取時(shí)間非常長(zhǎng)；短期存放指令和數(shù)據(jù)
B.存取時(shí)間非常長(zhǎng)；長(zhǎng)期存放指令和數(shù)據(jù)
C.存取時(shí)間非常短；長(zhǎng)期存放指令和數(shù)據(jù)
D.存取時(shí)間非常短；臨時(shí)存放指令和數(shù)據(jù)

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單項(xiàng)選擇題

PLC程序運(yùn)行中，是采用在（）階段，CPU逐條解釋和處理用戶程序，需要使用輸入通道信息時(shí)，則從內(nèi)存的輸入信息狀態(tài)區(qū)讀入。

A.自診斷
B.與外設(shè)通信
C.執(zhí)行用戶程序
D.讀入現(xiàn)場(chǎng)信息

單項(xiàng)選擇題

對(duì)于計(jì)算機(jī)高級(jí)語(yǔ)言的正確理解是（）。

A.程序中所用的語(yǔ)句，與實(shí)際問(wèn)題更接近
B.計(jì)算機(jī)執(zhí)行高級(jí)語(yǔ)言的速度快
C.程序中所用的語(yǔ)句，與計(jì)算機(jī)更接近
D.用戶在了解計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)后方可編程

高速緩沖存儲(chǔ)器通常由雙極型靜態(tài)RAM（sRAM）構(gòu)成，SRAM的主要優(yōu)點(diǎn)是（），主要用來(lái)（）。

你可能感興趣的試題

PLC程序運(yùn)行中，是采用在（）階段，CPU逐條解釋和處理用戶程序，需要使用輸入通道信息時(shí)，則從內(nèi)存的輸入信息狀態(tài)區(qū)讀入。

對(duì)于計(jì)算機(jī)高級(jí)語(yǔ)言的正確理解是（）。

高速緩沖存儲(chǔ)器通常由雙極型靜態(tài)RAM（sRAM）構(gòu)成，SRAM的主要優(yōu)點(diǎn)是（），主要用來(lái)（）。

PLC程序運(yùn)行中，是采用在（）階段，CPU逐條解釋和處理用戶程序，需要使用輸入通道信息時(shí)，則從內(nèi)存的輸入信息狀態(tài)區(qū)讀入。