簡述滲透探傷方法的選擇原則。

下圖所示的標(biāo)準(zhǔn)試件可用來測定（）。

JB4730-94標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定磁軛的磁極間距應(yīng)控制在（）。

寫出VC-S滲透探傷的工藝流程。

新置的Ir192γ射線源，其活度為40Ci，現(xiàn)今時隔300天，已知，Ir192γ射線源的半衰期為75天。求該源現(xiàn)在的活度？該源新置時，對某工件進(jìn)行射線照相的曝光時間為4min，若所有條件不變，現(xiàn)今應(yīng)曝光多少分鐘？

JB4730-94標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定非熒光磁粉，每100毫升磁懸液沉淀體積為（）。

試驗線圈激勵電流應(yīng)保持恒定，這樣用渦流系統(tǒng)得到的試件信息（）。

要建筑一個Ir192透照室，源活度100C，墻外容許照射量率為0.25毫倫/小時，求混凝土墻的厚度至少各多少？（設(shè)工作人員最小工作距離為5米，水泥半減層為3.6cm，Kr=4.72）

渦流試驗時，試樣中的電磁場是由（）表示的。

對觀片燈有哪些基本要求？