簡(jiǎn)述VSP 測(cè)井影響因素。

平移斷層斷層面一般較陡，可以是平直的，也可以是彎曲的。平移斷層在剖面上（）。

井壁微電阻率掃描成像儀器在均勻介質(zhì)中測(cè)量時(shí)，發(fā)自極板體的電扣電流和推靠器中心支架棒上的聚焦電流構(gòu)成的電流線總是相似的，與介質(zhì)的電阻率（）。

在（）的概念中，沉積環(huán)境和沉積巖特征的辯證關(guān)系是：沉積環(huán)境是形成沉積巖特征的決定因素，沉積巖特征則是沉積環(huán)境的物質(zhì)表現(xiàn)。

電容法持水率計(jì)的現(xiàn)場(chǎng)刻度要求是什么？

多極子陣列聲波測(cè)井的重復(fù)測(cè)井與主測(cè)井的波列特征應(yīng)相似，縱波時(shí)差重復(fù)曲線與主測(cè)井曲線形狀相同，重復(fù)測(cè)量值相對(duì)重復(fù)誤差應(yīng)小于（）。

井壁微電阻率掃描成像儀極板和井壁的間隙增大會(huì)（）儀器的垂向分辨率。

當(dāng)?shù)貙涌紫抖刃∮?5%時(shí)，孔隙度曲線重復(fù)測(cè)量值的絕對(duì)誤差小于（）。

超聲波成像測(cè)井的影響因素為工作頻率、（）、測(cè)量距離、目的層的表面結(jié)構(gòu)、目的層的傾角和巖石的波阻抗差異。

微電阻率成像測(cè)井無(wú)效（壞）電極數(shù)不應(yīng)超過(guò)（）。