微電阻率成像測(cè)井無(wú)效（壞）電極數(shù)不應(yīng)超過(guò)（）。

在薄互層中，泥漿侵入對(duì)井壁微電阻率掃描成像測(cè)量響應(yīng)的影響較之厚層（）。

在（）的概念中，沉積環(huán)境和沉積巖特征的辯證關(guān)系是：沉積環(huán)境是形成沉積巖特征的決定因素，沉積巖特征則是沉積環(huán)境的物質(zhì)表現(xiàn)。

井壁微電阻率掃描成像儀極板和井壁的間隙增大會(huì)（）儀器的垂向分辨率。

簡(jiǎn)述VSP 測(cè)井影響因素。

簡(jiǎn)述如何根據(jù)聲電成像測(cè)井確定現(xiàn)今地應(yīng)力的方向。

微電阻率成像三井徑曲線(xiàn)變化正常，除橢圓井眼外，在井眼規(guī)則處應(yīng)（）。

在相同的外加磁場(chǎng)中，不同的原子核的進(jìn)動(dòng)頻率（）。

多極子陣列聲波測(cè)井的重復(fù)測(cè)井與主測(cè)井的波列特征應(yīng)相似，縱波時(shí)差重復(fù)曲線(xiàn)與主測(cè)井曲線(xiàn)形狀相同，重復(fù)測(cè)量值相對(duì)重復(fù)誤差應(yīng)小于（）。

超聲波成像測(cè)井的影響因素為工作頻率、（）、測(cè)量距離、目的層的表面結(jié)構(gòu)、目的層的傾角和巖石的波阻抗差異。