單項(xiàng)選擇題同位素中子源的中子能量是連續(xù)的，能量主值在（）MeV之間。
A.2～3
B.2～4
C.2～5
D.2～6
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1.單項(xiàng)選擇題中子源強(qiáng)度即中子發(fā)射率，是該源每（）發(fā)射的中子數(shù)。
A.微秒
B.毫秒
C.秒
D.分
2.單項(xiàng)選擇題超熱中子是指中子能量在（）eV范圍內(nèi)的中子。
A.0.01～0.1
B.0.1～1
C.1～10
D.1～100
3.單項(xiàng)選擇題慢中子是指中子能量在（）eV范圍內(nèi)的中子。
A.1
B.1～102
C.1～103
D.1～104
4.單項(xiàng)選擇題快中子是指中子能量大于（）eV的中子。
A.5×104
B.5×105
C.5×106
D.5×107
5.單項(xiàng)選擇題熱中子是指中子能量為（）eV的中子。
A.25
B.2.5
C.0.25
D.0.025
最新試題
多極子陣列聲波測(cè)井首波波至?xí)r間曲線變化形態(tài)應(yīng)（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
微電阻率成像測(cè)井無效（壞）電極數(shù)不應(yīng)超過（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
超聲波成像測(cè)井的影響因素為工作頻率、（）、測(cè)量距離、目的層的表面結(jié)構(gòu)、目的層的傾角和巖石的波阻抗差異。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
核磁共振測(cè)井時(shí)，當(dāng)?shù)貙涌紫抖炔恍∮?5%時(shí)，孔隙度曲線重復(fù)測(cè)量值的相對(duì)誤差（）10%。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在薄互層中，泥漿侵入對(duì)井壁微電阻率掃描成像測(cè)量響應(yīng)的影響較之厚層（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
脈沖中子能譜測(cè)井儀的主要用途是什么？
題型：?jiǎn)柎痤}
簡(jiǎn)述VSP 測(cè)井影響因素。
題型：?jiǎn)柎痤}
水平井中氣水兩相流動(dòng)時(shí)的流型有哪些？
題型：?jiǎn)柎痤}
泥漿濾液的侵入使孔隙流體發(fā)生了改變，當(dāng)濾液中含有順磁物質(zhì)時(shí)會(huì)（）橫向弛豫時(shí)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響核磁共振測(cè)井的主要因素包括（）、孔隙流體及巖石的潤(rùn)濕性和地層磁化率差異。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題