CVD 工藝是在較低壓力和較底溫度下進行的，不僅用來增密炭基材料，還可增強材料斷裂強度和抗震性能。

CVD 裝置通?？梢杂蓺庠纯刂撇考⒊练e反應(yīng)室、沉積溫控部件、真空排氣和壓強控制部件等部分組成。

高壓高溫合成法目的是尋求經(jīng)卸壓降溫后的高壓高溫合成產(chǎn)物能夠在常壓常溫下保持其高壓高溫狀態(tài)的特殊結(jié)構(gòu)和性能的新材料。

簡述玻璃真空系統(tǒng)漏氣的原因及防漏措施。

強制對流是自流體因溫度或濃度所產(chǎn)生的密度差所導(dǎo)致的。

簡述真空蒸鍍的原理。

渦流擴散是在有濃度差異條件下，物質(zhì)通過渦流流體的傳遞過程。

人們通常把能夠從密閉容器中排出氣體或使容器中的氣體分子數(shù)目不斷減少的設(shè)備稱為真空獲得設(shè)備或真空泵。

MoSi2宜在低于1000℃下長時間使用。

CVD 工藝希望反應(yīng)氣體以湍流的形式流動。