1.反應產物是揮發(fā)性的； 2.選擇比率高； 3.刻蝕速率快； 4.具有好的終點靈敏性； 5.有好的各向異性刻蝕速率。
最新試題
CMP的設備構成包括（）。
消除鳥嘴效應的方法有（）。
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
常壓的硅外延方法有（）。
注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。
光刻工藝對準誤差包括（）。
厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。