單項(xiàng)選擇題TTL 電路屬于（）數(shù)字集成電路。
A.單極型
B.雙極型
C.三級型
D.無法判斷
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1.單項(xiàng)選擇題頻分復(fù)用中的頻譜互相交疊，要經(jīng)過（），將各和信號(hào)分別提取。
A.低通濾波器
B.帶通濾波器
C.高通濾波器
D.鑒相器
2.單項(xiàng)選擇題對稱三相負(fù)載星形連接時(shí)，每相之間的相位差為（）。
A.30°
B.60°
C.120°
D.180°
3.單項(xiàng)選擇題SRAM 和DRAM 的相比較，下列說法正確的是（）。
A.SRAM 需要刷新，DRAM 不需要刷新
B.兩者都不需要刷新
C.SRAM 不需刷新，DRMA 需要刷新
D.兩者都要刷新
4.單項(xiàng)選擇題關(guān)于理想電感描述不正確的是（）。
A.是一種瞬態(tài)元件
B.是一種儲(chǔ)能元件
C.是一種非線性元件
D.是一種耗能元件
5.單項(xiàng)選擇題模擬信源輸出（）幅度的信號(hào)。
A.連續(xù)
B.等距離間隔
C.離散
D.隨時(shí)間而變
最新試題
OSI 七層結(jié)構(gòu)及TCP/IP 體系結(jié)構(gòu)中均存在網(wǎng)絡(luò)層。（）
題型：判斷題
TTL 電路屬于（）數(shù)字集成電路。
題型：單項(xiàng)選擇題
USB 接口與RS232接口對比，最大的優(yōu)點(diǎn)是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
均勻直線式天線陣子的最大輻射方向與下列（）無關(guān)。
題型：單項(xiàng)選擇題
計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)采用結(jié)構(gòu)化層次模型的優(yōu)點(diǎn)不包括（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
RS232接口的數(shù)據(jù)傳送方式是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
關(guān)于理想電阻，描述不正確的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
EI A-232-E 是美國電子協(xié)會(huì)EI A 制定的著名物理層（）通信接口標(biāo)準(zhǔn)。
題型：單項(xiàng)選擇題
包絡(luò)檢測，又稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
電容器上聚集的電荷量與哪一項(xiàng)因素?zé)o關(guān)（）。
題型：單項(xiàng)選擇題