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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】IGBT有哪些突出優(yōu)點(diǎn)？
答案：
IGBT將MOSFET與GTR的優(yōu)點(diǎn)集于一身，既有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓驅(qū)動(dòng)型，又具有通態(tài)壓降低、高電壓、...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】描述GTR的二次擊穿特性。
答案：
GTR的集電極電壓升高至前面所述的擊穿電壓時(shí)，集電極電流迅速增大，這種首先出現(xiàn)的擊穿是雪崩擊穿，被稱(chēng)為一次擊穿。出現(xiàn)一次...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】說(shuō)明GTO的關(guān)斷原理。
答案：
普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門(mén)極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。
