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溫度越高,熱缺陷生成能()。
A.越高
B.不變
C.越低
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單項(xiàng)選擇題
對(duì)于離子化合物,晶體中總共有()種點(diǎn)缺陷基本形式。
A.5
B.6
C.8
D.10
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單項(xiàng)選擇題
在書寫晶體結(jié)構(gòu)缺陷符號(hào)時(shí),上標(biāo)’’表示帶()個(gè)電荷。
A.-1
B.+2
C.-2
D.+1
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