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單項選擇題在書寫晶體結(jié)構(gòu)缺陷符號時，上標為•表示帶（）個電荷。

A.+2
B.+3
C.-1
D.+1

1.單項選擇題在書寫晶體結(jié)構(gòu)缺陷符號時，上標不寫表示帶（）個電荷。

A.0
B.-1
C.+2
D.+3

2.單項選擇題點缺陷根據(jù)產(chǎn)生原因可以分為（）類。

A.1
B.2
C.3
D.4

3.單項選擇題Fe1-xO當環(huán)境氧分壓升高時，則其電導(dǎo)率與氧分壓的（）次方成正比。

A.1/3
B.1/4
C.1/5
D.1/6

4.單項選擇題TiO₂-x當環(huán)境中氧氣氛壓力減小或者在還原性氣氛中，則其電導(dǎo)率與氧分壓的（）次方成反比。

A.1/3
B.1/4
C.1/5
D.1/6

5.單項選擇題非化學(xué)計量化合物有（）種類型。

A.3
B.4
C.5
D.6