判斷題電子導(dǎo)電材料中溫度對載流子遷移率的影響為:低溫下雜質(zhì)離子對電子的散射起主要作用,高溫下聲子對電子的散射起主要作用。
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3.單項(xiàng)選擇題空位隨溫度升高而增加,在20℃和1020℃之間,由于熱膨脹bcc鐵的晶格常數(shù)增加0.51%,而密度減少2.0%,假設(shè)在時,此金屬中每1000個單位晶胞中有1個空位,試估計(jì)在時每1000個單位晶胞中有多少個空位?()(bcc鐵單位晶胞中有2個原子,假設(shè)晶格不變)
A.71
B.21
C.11
D.61
4.單項(xiàng)選擇題單晶硅半導(dǎo)體的禁帶寬度為1.10eV,等效狀態(tài)密度N=1.0×1019/cm3,求在273K時該半導(dǎo)體中的本征載流子濃度ni為()。
A.1.34×109/cm3
B.6.7×108/cm3
C.2.2×109/cm3
D.1.1×109/cm3
5.單項(xiàng)選擇題已知某離子晶體的晶格常數(shù)為5.0×10-8cm,固有振動頻率為1012Hz,晶格勢能壘為0.5eV,求300K時的離子遷移率為()。
A.1.24×10-10cm2/s·V
B.6.19×10-11cm2/s·V
C.9.14×10-10cm2/s·V
D.4.57×10-10cm2/s·V
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矩磁材料常用作記憶元件、開關(guān)元件、邏輯元件等等。
題型:判斷題
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