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A.DRAM將每個位存儲為對一個電容的充電
B.SRAM對光干擾敏感，對電干擾不敏感
C.SRAM主要用于高速緩存
D.SRAM具有雙穩(wěn)態(tài)特性

A.DRAM具有雙穩(wěn)態(tài)特性
B.SRAM將每個位存儲為對一個電容的充電
C.DRAM主要用于主存，幀緩沖區(qū)
D.SRAM對干擾非常敏感