A.間隙密度
B.記錄密度
C.磁道密度
D.面密度
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A.PROM
B.SRAM
C.閃存
D.EPROM
A.間隙
B.發(fā)射時(shí)間
C.延遲
D.開(kāi)銷
A.周期
B.發(fā)射時(shí)間
C.延遲
D.開(kāi)銷
A.展開(kāi)循環(huán)
B.重新結(jié)合
C.消除不必要的存儲(chǔ)器引用
D.用功能的風(fēng)格重寫條件操作
A.寄存器溢出
B.存儲(chǔ)器溢出
C.分支預(yù)測(cè)
D.預(yù)測(cè)錯(cuò)誤處罰
最新試題
將十六進(jìn)制數(shù)（1A5）16轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制數(shù)，正確結(jié)果為（）。
軟件堆棧在工作中（）移動(dòng)。
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來(lái)存儲(chǔ)信息的。
計(jì)算機(jī)的I/O接口是（）之間的交接界面。
若I/O類指令采用獨(dú)立編址，對(duì)系統(tǒng)帶來(lái)的影響主要是（）。
存儲(chǔ)在能永久保存信息的器件中的程序被稱為（）。
將十六進(jìn)制數(shù)（2BA）16化成十進(jìn)制數(shù)，正確結(jié)果為（）。
柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對(duì)C1、C2電容充電，此過(guò)程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過(guò)程也就是讀出過(guò)程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。
（）是指參與運(yùn)算的數(shù)的基本位數(shù)，是由加法器、寄存器的位數(shù)決定的。
使用硬件堆棧時(shí)，其中（）移動(dòng)。