A.N*m/i
B.N*i/m
C.i*m/N
D.N/（m*i）
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A.多個(gè)累積變量
B.重新結(jié)合變換
C.利用SIMD
D.以上三個(gè)都是
A.上界
B.下界
C.平均值
D.最小值
考慮下面的函數(shù)：
int min(int x,int y){return x
對于下面的代碼：
t=0;
for(i=max(x,y);i>=min(x,y);i--)
t+=i;
假設(shè)x=1,y=100,則可以得到函數(shù)調(diào)用的次數(shù)為（）
A.200
B.201
C.101
D.102
A.每元素的執(zhí)行時(shí)間
B.每次循環(huán)的周期數(shù)
C.每元素的周期數(shù)
D.每次循環(huán)的執(zhí)行時(shí)間
A.存儲器別名使用
B.函數(shù)調(diào)用
C.使用局部變量
D.A和B
最新試題
若I/O類指令采用獨(dú)立編址，對系統(tǒng)帶來的影響主要是（）。
由硬件實(shí)現(xiàn)的功能改由軟件模擬來實(shí)現(xiàn)的做法被稱為（）
已知定點(diǎn)小數(shù)的真值X=-0.1001，寫出[X]反，正確結(jié)果為（）。
（）又稱字選法，所對應(yīng)的存儲器是字結(jié)構(gòu)的。
（）又稱為萬國碼，是由許多語言軟件制造商聯(lián)盟制定的可以容納世界上所有文字和符號的字符編碼方案。
將十六進(jìn)制數(shù)（2BA）16化成十進(jìn)制數(shù)，正確結(jié)果為（）。
從6管的SRAM記憶單元到單管的DRAM記憶單元，有利于提高（）。
動(dòng)態(tài)MOS記憶單元是靠MOS電路中的柵極（）來存儲信息的。
從給定的選項(xiàng)中選擇認(rèn)為正確的一項(xiàng)。A.并行B.串行C.端口D.接口E.輸出指令F.輸入指令（1）近距離設(shè)備與主機(jī)間傳輸數(shù)據(jù)，適合選用（）接口。（2）遠(yuǎn)程終端及計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等遠(yuǎn)離主機(jī)的設(shè)備傳輸信息，更適合選用（）接口。（3）接口與端口是兩個(gè)不同的概念，（）是指接口電路中可以被CPU直接訪問的寄存器。（4）CPU通過（）可以從有關(guān)端口讀取信息。（5）CPU也可以通過（）把信息寫入有關(guān)端口。
柵極電平只能維持一段時(shí)間，若要維持所保存的信息，需要對C1、C2電容充電，此過程被稱為“刷新（refresh）”。刷新過程也就是讀出過程，但只為完成充電而并不需要讀出信息，定期執(zhí)行一次（）。