單項選擇題玻璃膠粘貼法僅適用于（）。
A.塑料封裝
B.陶瓷封裝
C.金屬封裝
D.玻璃封裝
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1.單項選擇題?硅晶體內(nèi)部的空間利用率是（）。?
A.24%
B.34%
C.44%
D.66%
2.多項選擇題?塵埃的測量方法有（）。
A.重量法
B.四探針法
C.過濾法
D.計數(shù)法
3.單項選擇題?高效過濾器的英文簡稱是（）。?
A.LEPA
B.HEPA
C.MIC
D.DHF
4.單項選擇題?第一個鍺晶體管是（）年發(fā)明?。
A.1946
B.1947
C.1957
D.1958
5.多項選擇題硅的四種摻雜方式有以下幾種？（）
A.離子注入
B.擴(kuò)散摻雜法
C.中子嬗變摻雜
D.原位摻雜
最新試題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項選擇題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。
題型：單項選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。
題型：多項選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：單項選擇題