A.L0
B.L1
C.L2
D.L3
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A.OSPF
B.ISIS
C.ESIS
D.BGP
A.CLNP
B.CONP
C.UDP
D.TCP
A.不認(rèn)證
B.simple
C.MD5
D.SHA
A.增加帶寬
B.負(fù)載分擔(dān)
C.備份
D.利用分片降低時(shí)延
A.PPP
B.FR
C.X.25
D.HDLC
最新試題
光交叉處理()的調(diào)度,通常與所承載的業(yè)務(wù)類(lèi)型()。()處理電信號(hào)的調(diào)度,與所承載的業(yè)務(wù)類(lèi)型()
在RS232串口中,采用哪一種校驗(yàn)方式:()。
DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。()
ITU-T中,當(dāng)光信道間隔為0.8nm的系統(tǒng),中心波長(zhǎng)的偏差不能大于:()
1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是0000_0001,-1的8位二進(jìn)制補(bǔ)碼是1111_1111。()
以下哪種信號(hào)異常能用邏輯分析儀測(cè)試?()
關(guān)于SRAM和DRAM,下面說(shuō)法正確的是()。
一空氣平行板電容器,兩級(jí)間距為d,充電后板間電壓為u。然后將電源斷開(kāi),在平板間平行插入一厚度為d/3的金屬板。此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)椋ǎ?/p>
本征半導(dǎo)體中加入()元素可形成N型半導(dǎo)體。
中繼器、以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器分別工作在OSI模型的哪位層次上?()