多項(xiàng)選擇題電涌抑制晶閘管（TSS管）的開關(guān)特性包括以下哪幾個(gè)區(qū)域？（）

A.限制
B.斷態(tài)
C.擊穿
D.負(fù)電阻
E.短路
F.通態(tài)


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1.多項(xiàng)選擇題雪崩擊穿二極管（ABD管）反向偏置時(shí)，有哪幾種工作模式？（）

A.待機(jī)
B.鉗制
C.擊穿
D.短路

2.多項(xiàng)選擇題高氣壓（1個(gè)大氣壓及其以上）極不均勻電場(chǎng)情況下，氣體放電的主要外形形式為（）。

A.火光放電
B.輝光放電
C.電暈放電
D.電弧放電
E.刷狀放電
F.火花放電

3.多項(xiàng)選擇題ZnO壓敏電阻的失效模式有（）。

A.電氣擊穿
B.過期老化
C.機(jī)械破壞
D.熱破壞

4.多項(xiàng)選擇題對(duì)于ZnO壓敏電阻的劣化預(yù)防，可以采用（）的方法進(jìn)行處理。

A.機(jī)械保護(hù)
B.熱學(xué)處理
C.化學(xué)處理
D.合理設(shè)計(jì)

5.多項(xiàng)選擇題ZnO壓敏電阻的離子遷移說劣化機(jī)理模與實(shí)驗(yàn)結(jié)果更相符，基本認(rèn)為：（）。

A.劣化是一種晶界現(xiàn)象
B.劣化是耗盡層中離子遷移的結(jié)果
C.劣化是穩(wěn)定層中離子遷移的結(jié)果
D.遷移離子主要是氧和填隙Zn