影響封裝芯片特性的溫度有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。