空氣中鉑的使用溫度為1500℃，能在氧分壓等于0.1MPa 下使用。

高溫反應受熱容器包括玻璃容器、陶瓷容器、金屬容器等等。

反應氣體或生成物通過邊界層，是以擴散的方式來進行的，而使氣體分子進行擴散的驅動力，則是來自于氣體分子局部的濃度梯度。

化學合成反應沉積是由兩種或兩種以上的反應原料氣在沉積反應器中相互作用合成得到所需要的無機薄膜或其它材料形式的方法。

Ni-Cr 和Fe-Cr-Al 合金電熱體的工作溫度是1000℃至1300℃。

強制對流是自流體因溫度或濃度所產生的密度差所導致的。

共價晶體不需考慮長程力的作用，表面能（Er）即是破壞單位面積上的全部鍵所需能量之一半：Er=1/2E 鍵。

CVD 工藝希望反應氣體以湍流的形式流動。

光學高溫計只要選取一定的波長，通常選λ=0.78μm。

CVD 技術中通過沉積反應易于生成所需要的材料沉積物，而沉積物均易揮發(fā)而留在氣相排出或易于分離。