(a)在MgO晶體中,肖特基缺陷的生成能為6eV,計(jì)算在25℃和1600℃時熱缺陷的濃度。 (b)如果MgO晶體中,含有百萬分之一mol的Al2O3雜質(zhì),則在1600℃時,MgO晶體中是熱缺陷占優(yōu)勢還是雜質(zhì)缺陷占優(yōu)勢?說明原因。
非化學(xué)計(jì)量氧化物TiO2-x的制備強(qiáng)烈依賴于氧分壓和溫度: (a)試列出其缺陷反應(yīng)式。 (b)求其缺陷濃度表達(dá)式。