熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）