A、電子 B、空穴 C、電壓 D、電流
A、接近滿度 B、2/3以上區(qū)域 C、接近起始位置 D、中間附近
A、R應遠大于二極管的導通電阻,近似于二極管的反向電阻 B、R應遠小于二極管的反向電阻,近似于二極管的導通電阻 C、R應遠大于二極管的導通電阻,遠小于二極管的反向電阻 D、R與C組成的時間常數(shù)盡可能小