A.與缺陷寬深比無(wú)關(guān) B.缺陷深度至少是其寬度的5倍 C.缺陷的寬深比為1 D.以上都不是
A.缺陷離試件表面越近,形成的漏磁通越小 B.在磁化狀態(tài)、缺陷類型和大小為一定時(shí),其漏磁通密度受缺陷方向影響 C.交流磁化時(shí),近表面缺陷的漏磁通比直流磁化時(shí)的漏磁通要小 D.在磁場(chǎng)強(qiáng)度、缺陷類型和大小為一定時(shí),其漏磁通密度受磁化方向影響 E.除A以外都對(duì)
A.與磁場(chǎng)成180°角 B.與磁場(chǎng)成45°角 C.與磁場(chǎng)成90°角 D.與電場(chǎng)成90°角