MOS管的閾值電壓是漏源之間的導(dǎo)電溝道出現(xiàn)強(qiáng)反型時(shí)的最小柵極電壓，即半導(dǎo)體的表面勢大于費(fèi)米勢時(shí)的柵極電壓。

MOS管閾值電壓的單位是eV。

雙極型晶體管使用中，電流最大的極是（），電流最小的極是（）。

“合金型晶體管”，“平面型晶體管”和“外延型晶體管”這三種晶體管中，目前生產(chǎn)最主要的一種是（）。

1947年，（）等人制造了第一個(gè)晶體管。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

（）是最早實(shí)現(xiàn)提純和完美晶體生長的半導(dǎo)體材料。

MOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線指的是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。

MOS管的伏安特性曲線含義是漏源電壓與漏源電流之間的關(guān)系曲線。