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單項(xiàng)選擇題
電磁探傷測(cè)井,測(cè)井前通井至目的井段以下(),確保井筒通暢,保證儀器能下入到測(cè)量井深。
A.1m
B.10m
C.50m
D.100m
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單項(xiàng)選擇題
同位素示蹤注入剖面測(cè)井在(),同位素曲線數(shù)值應(yīng)大于自然伽馬本底曲線數(shù)值。
A.吸水層位
B.壓裂層位
C.竄槽部位
D.以上都是
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單項(xiàng)選擇題
高溫注汽四參數(shù)測(cè)試儀溫度測(cè)量精度是()。
A.±1℃
B.±1.5℃
C.±2℃
D.±2.5℃
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