問答題

【簡答題】使外部RAM 2100H單元內(nèi)容的高兩位清“0”，其余位變反。試編寫程序。

答案：

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【簡答題】將內(nèi)部RAM 30H單元的內(nèi)容求補(bǔ)后，送回30H單元。試編寫程序。

答案：

【簡答題】從P1口引腳讀入數(shù)據(jù)，并將該數(shù)據(jù)寫入外部RAM 2100H單元。試編寫程序。

答案：