P型材料和N型材料接觸后形成PN結，由于存在濃度差，就會產(chǎn)生空間電荷區(qū)，而空間電荷區(qū)的寬度就稱為耗盡層寬度W。
最新試題
進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
新的平坦化方法有哪幾個？（）
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
摻雜后，退火的目的是（）。
摻雜后退火時間一般在（）。
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。
常壓的硅外延方法有（）。
刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）
碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。