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填空題隨著信號頻率的提高，晶體管的幅度會（），相角會（）。

1.填空題無源基區(qū)重?fù)诫s的目的是（）。

2.填空題基區(qū)穿通是指當(dāng)集電結(jié)反向電壓增加到使耗盡區(qū)將（）全部占據(jù)時(shí)，集電極電流急劇增大的現(xiàn)象。防止基區(qū)穿通的措施是（）基區(qū)寬度、（）基區(qū)摻雜濃度。

3.填空題當(dāng)集電結(jié)反偏增加時(shí)，集電結(jié)耗盡區(qū)寬度會（），使基區(qū)寬度（），從而使集電極電流（），這就是基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)（）。

4.填空題當(dāng)晶體管處于放大區(qū)時(shí)，理想情況下集電極電流隨集電結(jié)反偏的增加而（）。但實(shí)際情況下集電極電流隨集電結(jié)反偏增加而（），這稱為（）效應(yīng)。

5.填空題在異質(zhì)結(jié)雙極晶體管中，發(fā)射區(qū)的禁帶寬度（）于基區(qū)的禁帶寬度，從而使異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的（）大于同質(zhì)結(jié)雙極晶體管的。