光刻工藝的特點包括（）。

CMP的設備構成包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

光刻工藝的設備核心是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

消除鳥嘴效應的方法有（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）