摻雜后退火時間一般在（）。

常壓的硅外延方法有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

消除鳥嘴效應的方法有（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。