常壓的硅外延方法有（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。