光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。