濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）