新的平坦化方法有哪幾個？（）

光刻工藝的特點包括（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。