CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質量的指標？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產生二氧化硅層，厚度約為（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數無關？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

常壓的硅外延方法有（）。