如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

光刻工藝的特點包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

常壓的硅外延方法有（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。