問答題簡述實(shí)現(xiàn)有源逆變的基本條件,并指出至少兩種引起有源逆變失敗的原因。

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2.單項(xiàng)選擇題IGBT是一個(gè)復(fù)合型的器件,它是()。

A.GTR驅(qū)動(dòng)的MOSFET
B.MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTR
C.MOSFET驅(qū)動(dòng)的晶閘管
D.MOSFET驅(qū)動(dòng)的GTO

3.單項(xiàng)選擇題已經(jīng)導(dǎo)通的晶閘管的可被關(guān)斷的條件是流過晶閘管的電流()。

A.減小至維持電流以下
B.減小至擎住電流以下
C.減小至門極觸發(fā)電流以下
D.減小至5A以下

4.單項(xiàng)選擇題為限制功率晶體管的飽和深度,減少存儲(chǔ)時(shí)間,桓流驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)常采用()。

A.du/dt抑制電路
B.抗飽和電路
C.di/dt抑制電路
D.吸收電路

5.單項(xiàng)選擇題直流斬波電路是一種()變換電路。

A.AC/AC
B.DC/AC
C.DC/DC
D.AC/DC