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若耗盡型N溝道MOS管的UGS大于零,則其輸入電阻會明顯變小。
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結型場效應管外加的柵-源電壓應使柵-源間的耗盡層承受反向電壓,才能保證其RGS大的特點。
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處于放大狀態(tài)的晶體管,集電極電流是多子漂移運動形成的。
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