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硅管與鍺管的死區(qū)電壓分別為()V。
A.0.7,0.3
B.0.3,0.7
C.0.5,0.2
D.0.2,0.5
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半導體中的載流子為()。
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限幅利用二極管三極管的()特性來實現(xiàn)。
A.單向?qū)щ娦?br /> B.開關(guān)
C.箝位
D.整流
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