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用細的絕緣棒彎成半徑為R的圓弧，該圓弧對圓心所張的角為2α，總電荷q沿棒均勻分布，求圓心處的電場強度。

電荷Q均勻分布在半徑為R的半圓周上，求曲率中心O處的電場強度。

電荷Q均勻分布在長為l的細桿AB上，P點位于AB的延長線上，且與B相距為d，求P點的電勢。

電荷Q均勻分布在長為l的細桿AB上，P點位于AB的延長線上，且與B相距為d，求P點的電場強度。

如圖，長直圓柱面半徑為R，單位長度帶電為λ，試用高斯定理計算圓柱面內(nèi)外的電場強度。

有一瓦楞狀直長均勻帶電薄板，面電荷密度為σ，瓦楞的圓半徑為a，試求：軸線中部一點P處的電場強度。（已知電荷線密度為λ的無限長直線的電場強度為）

有寬度為a的直長均勻帶電薄板，沿長度方向單位長度的帶電量為λ，試求：與板的邊緣距離為b的一點P處的電場強度（已知電荷線密度為λ的無限長直線的電場強度為）。

有一半徑為a的非均勻帶電的半圓環(huán)，電荷線密度為λ=λ₀cosθ，λ₀為恒量。試求：圓心處O點的電勢。

有一半徑為a的非均勻帶電的半球面，電荷面密度為σ=σ₀cosθ，σ₀為恒量。試求：球心處O點的電勢。