單項選擇題標識X射線產(chǎn)生于:()
A.高速電子本身的韌致輻射
B.靶物質原子外層電子的受激輻射
C.靶物質原子內層電子的受激輻射
D.靶物質原子核的受激輻射
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1.單項選擇題標識X射線的波長決定于:()
A.管電流的強弱
B.管電壓的高低
C.陽極靶的材料
D.陽極靶的面積
2.單項選擇題X射線投射在KCl晶體上二級布拉格反射角為60°,若X射線的波長為0.157nm,晶格常數(shù)為:()
A.0.314nm
B.3.14nm
C.0.181nm
D.1.81nm
3.單項選擇題用一般光學分光儀不能獲得X射線譜的原因是:()
A.X射線是不可見光
B.X射線強度太大
C.X,射線波長秀短,在介質中幾乎不發(fā)生色散
D.X射線有熒光效應
4.單項選擇題當管電壓高于50KV時,獲得的X射線譜:()
A.只有標識譜
B.只有連續(xù)譜
C.有標識譜也有連續(xù)譜
D.條件不足,不能確定
5.單項選擇題連續(xù)X射線的最短波長與:()
A.管電流
B.靶材料有關
C.焦點大小有關
D.管電壓有關
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()分析技術是利用分子的化學位移來測定分子組成及空間構型的一種監(jiān)測方法。
題型:單項選擇題
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