柵極材料和半導(dǎo)體襯底材料的功函數(shù)差會影響MOS管的閾值電壓。

n溝耗盡型MOS型場效應(yīng)晶體管的閾值電壓一定大于相應(yīng)的n溝增強(qiáng)型MOS管的閾值電壓。

理想的MOS管其柵極電壓只會落在絕緣層和半導(dǎo)體襯底表面層上，柵極分壓占比小于50%。

柵極材料與半導(dǎo)體材料的功函數(shù)差會因半導(dǎo)體材料的摻雜濃度變化而變化。

p型襯底材料的MOS管，其半導(dǎo)體的摻雜濃度增大，閾值電壓隨之增大。

處于飽和工作區(qū)的n溝耗盡型MOS管，漏極將失去對溝道電流的控制能力。

絕緣層材料質(zhì)量影響MOS管的閾值電壓。

MOS的輸出特性曲線中，給定的漏源電壓下漏源電流隨著柵極電壓的增大而增加。

MOS管的閾值電壓與絕緣柵層的雜質(zhì)濃度無關(guān)。

半導(dǎo)體具有的負(fù)的溫度系數(shù)的發(fā)現(xiàn)年份是（）年。