單項(xiàng)選擇題關(guān)于“飛焦點(diǎn)”技術(shù),敘述正確的是()。

A.飛焦點(diǎn)是在X 線產(chǎn)生之前的控制技術(shù)
B.飛焦點(diǎn)是X 線管的兩個(gè)焦點(diǎn)交替發(fā)射電子束
C.飛焦點(diǎn)是利用偏轉(zhuǎn)線圈對(duì)電子束進(jìn)行偏轉(zhuǎn)
D.飛焦點(diǎn)通過(guò)控制X 線的方向來(lái)實(shí)現(xiàn)
E.飛焦點(diǎn)技術(shù)增加了X 線管陽(yáng)極靶面的熱量


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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于多層螺旋CT 層數(shù)與探測(cè)器排數(shù)之間的關(guān)系,敘述正確的是()。

A.探測(cè)器排數(shù)與多層螺旋CT 層數(shù)相等
B.層厚選擇與探測(cè)器排中每一排的寬度無(wú)關(guān)
C.所有層厚均可以選擇到螺旋CT 層數(shù)
D.探測(cè)器的排數(shù)通常小于螺旋CT 層數(shù)
E.采用飛焦點(diǎn)技術(shù)時(shí)排數(shù)可以小于螺旋CT 層數(shù)

2.單項(xiàng)選擇題第五代CT 設(shè)備的X 線束為()。

A.筆形
B.扇形
C.廣角扇形
D.窄扇形
E.錐形

4.單項(xiàng)選擇題勻場(chǎng)線圈的位置為()。

A.磁體和梯度線圈之間
B.磁體和勻場(chǎng)線圈之間
C.磁體和主梯度線圈之間
D.磁體最內(nèi)層
E.磁體體腔之內(nèi)

5.單項(xiàng)選擇題輔助梯度線圈的位置為()。

A.磁體和梯度線圈之間
B.磁體和勻場(chǎng)線圈之間
C.磁體和主梯度線圈之間
D.磁體最內(nèi)層
E.磁體體腔之內(nèi)