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單項(xiàng)選擇題纖鋅礦（六方ZnS）晶體結(jié)構(gòu)中，S^2-作六方最緊密堆積，Zn²⁺填充（）。

A.全部四面體空隙
B.全部八面體空隙
C.1/2四面體空隙
D.1/2八面體空隙

1.單項(xiàng)選擇題葉臘石Al₂[Si₄O₁₀]（OH）₂和滑石Mg₃[Si₄O₁₀]（OH）₂都屬于2：1層狀（復(fù)網(wǎng)層）結(jié)構(gòu)類型，它們的區(qū)別在于（）。

A.兩者互為多型結(jié)構(gòu)
B.兩者是同質(zhì)多晶體
C.結(jié)構(gòu)中的八面體空隙被不同的正離子（Al³⁺及Mg²⁺）所占據(jù)
D.結(jié)構(gòu)中的四面體空隙被不同的正離子（Al³⁺及Mg²⁺）所占據(jù)

2.單項(xiàng)選擇題MgAl₂O₄尖晶石晶體中，O^2-面心立方最緊密堆積，Al³⁺填充（）。

A.1/8四面體空隙?
B.1/2四面體空隙
C.1/8八面體空隙
D.1/2八面體空隙

3.單項(xiàng)選擇題在一個(gè)面心立方晶胞中，共存在（）空隙。

A.4個(gè)四面體，4個(gè)八面體
B.8個(gè)四面體，8個(gè)八面體
C.8個(gè)四面體，4個(gè)八面體
D.4個(gè)四面體，8個(gè)八面體?

4.單項(xiàng)選擇題在一個(gè)面心立方晶胞中，晶胞質(zhì)點(diǎn)數(shù)為（）。

A.2
B.4
C.6
D.8

5.單項(xiàng)選擇題有M1X、M2X、M3Y三種離子化合物，離子半徑分別為：rX＝0.181nm，rY＝0.13nm，rM1＝0.095nm，rM2＝0.169nm，rM3＝0.034nm，這三種化合物中陽(yáng)離子配位數(shù)（CN）的大小順序排列是（）。

A.M2X＞M1X＞M3Y
B.M1X＞M3Y＞M2X
C.M2X＞M3Y＞M1X
D.M3Y＞M2X＞M1X